TiSi2相关论文
TiSi2 reinforced boron phenolic composites (TP) and Vitreous silica fabric reinforced TiSi2/boron phenolic composites (V......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Annealing behavior, at different annealing temperatures, of an ultrathin Mo layer located between a Ti film and Si subst......
Ti 的行为基于在在高温度下面的氧的 Si (111 )(700 ℃， 800 ℃， 900 ℃， 1 000 ℃和 1 100 ℃) 被报导。X 光检查衍射(XRD ) 和 Four......
形成硅化物的技术有多种：蒸发，溅射和化学气相沉积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成ＴｉＳｉ２，通过实验，得出了ＣＭＯＳ自对......
熔融Si渗透过程伴随着复杂的化学反应及多组分扩散,对该过程进行研究有助于更好地理解熔渗反应机理。本工作采用熔融渗透工艺制备S......
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采用Ｓｉ和ＴｉＣ为原料，通过反应热压可制得纳米ＳｉＣ粒子复合的ＴｉＳｉ２材料，生成的纳米ＳｉＣ粒子聚集分布在ＴｉＳｉ２基体中，ＳｉＣ粒子与ＴｉＳｉ２的同没有晶界相存在，但由于残余应力的作......
本文介绍了硼化钛陶瓷的性能与应用，重点介绍了不叫的烧结方法、不同的烧结助刹对硼化钛陶瓷烧结性能的影响，在对TiSi2料性能特点分......
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以TiSi2作为烧结助剂,采用热压烧结制备了TiB2陶瓷。对烧结试样进行了XRD、SEM与EDS分析,对TiB2-x%TiSi2系统进行了热力学计算分析......
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通过在SiGeHBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2，从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGeHBT为例，采用TiSi2工艺的......
为明确固相反应法合成Ti Si2的工艺条件与反应机理,以高纯钛粉和硅粉为原料,采用固相反应法合成Ti Si2。通过X射线衍射、扫描电镜......
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针对传统TiSi2工艺中RCA1（NH4OH：H2O2：H2O）溶液对于TiN/Ti与TiSi2的选择性不好会造成硅化物的损失、提高接触电阻的问题,提出一种采用2......
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采用平面波超软赝势描述多电子体系,利用密度泛函理论和广义梯度近似,计算出C54相和C49相TiSi2的晶格常数、体弹性模量、形成能、......
大部分金属-硅化物和金属-硅-碳化物既具有金属材料良好的导电、导热性,又具有陶瓷材料的高熔点、高硬度和抗氧化等优良性能,预期......
本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS......
采用燃烧合成法合成了绝热温度为１８００Ｋ的ＴｉＳｉ２。分析了毛坯直径和初始孔隙率、Ｔｉ颗粒及预热温度对燃烧合成的影响，证实满足Φ＝９２ｍｍ，ρ＝５２％的－３００目钛粉形成的毛......
以工业用硅粉、碳粉和碳化钛粉为原料,利用放电等离子烧结技术原位反应制备了TiSi2-SiC两相复合材料和TiSi2-SiC-Ti3SiC2三相复合......
在调研和学习的基础上,运用所学的知识解释和分析了一些材料存储氢的原因和结果,通过实验制备氢存储功能材料。第一章说明了选题的......
